每日經濟新聞 2024-07-16 08:38:12
每經AI快訊，7月16日，中信證券研報指出，以碳化硅為代表的第三代半導體具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速率高、擊穿電場高、熱導率高等特點，是半導體產業未來發展的重要方向。碳化硅襯底位于碳化硅產業鏈的核心上游，采用碳化硅功率器件的高壓快充新能源汽車更能適應其增加續航里程、縮短充電時間和提升電池容量等需求，預計將成為未來的主流選擇，驅動碳化硅襯底需求進一步增長。
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