機(jī)構(gòu)認(rèn)為利基型DRAM供需反轉(zhuǎn)價格向上，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）買盤活躍

截至10:22，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.6%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，華峰測控領(lǐng)漲1.25%，盛美上海上漲1.03%，中船特氣上漲0.2%；神工股份領(lǐng)跌2.05%，和林微納下跌1.89%，華海誠科下跌1.77%。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌0.73%，最新報價1.09元。拉長時間看，截至2025年7月29日，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1周累計上漲6.69%。

流動性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手5.25%，成交2134.87萬元。拉長時間看，截至7月29日，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1周日均成交8706.38萬元。規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新規(guī)模達(dá)4.08億元，創(chuàng)近3月新高。從資金凈流入方面來看，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近5天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得1.18億元凈流入，合計“吸金”1.37億元，日均凈流入達(dá)2748萬元。

湘財證券指出，三星、SK海力士、美光擬退出利基型DRAM市場，利基型DRAM供需反轉(zhuǎn)價格向上，2025及2026年利基型DRAM價格有望保持在中高位水平。需求端，智能手機(jī)、PC、IOT及工控板塊弱復(fù)蘇態(tài)勢延續(xù)，疊加國產(chǎn)化替代仍為大勢所趨，預(yù)計推動各類存儲原廠端供應(yīng)價格逐步上行，國內(nèi)存儲原廠受益。

相關(guān)ETF：公開信息顯示，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中半導(dǎo)體設(shè)備（59%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求擴(kuò)張、科技重組并購浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（59%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。