每日經濟新聞 2025-08-19 14:07:21
每經AI快訊，九峰山實驗室今日官微消息，九峰山實驗室近日在磷化銦（InP）材料領域取得重要技術突破，成功開發出6英寸磷化銦（InP）基PIN結構探測器和FP結構激光器的外延生長工藝，關鍵性能指標達到國際領先水平。這一成果也是國內首次在大尺寸磷化銦材料制備領域實現從核心裝備到關鍵材料的國產化協同應用。九峰山實驗室本次聯合國內供應鏈實現全鏈路突破，對促進我國化合物半導體產業鏈協同發展有著重要影響。其中，九峰山實驗室本次技術突破中6英寸磷化銦（InP）襯底合作方云南鑫耀的6英寸高品質磷化銦單晶片產業化關鍵技術已實現突破，量產在即。
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